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晶振参数
发表于:2021-11-10 | 分类: 电子元器件 电子基础
字数统计: 373 | 阅读时长: 1分钟 | 阅读量:

无源晶振:有匹配电容 有源晶振:没有匹配电容参数 晶振分为有源晶振(Oscillator)和无源晶振(Crystal),无源晶振有一个参数叫做负载电容(Load capacitance),负载电容是指在电路中跨接晶振两端的总的外界有效电容。负载电容是工作条件,即电路设计时要满足负载电容等于或接近晶振数据手册给出的数值才能使晶振按预期工作。

无源晶振的负载电容,其实也是匹配电容,一个12M晶振的负载电容为12.5PF,那么在匹配12.5PF的电容是,晶振输出的才是12M。如果改成9PF或者20PF,那么无源晶振输出的频率会与12M差很多。实际上调整的负载电容时,就是在调整晶振的输出频率。那么如何确定这个电容值,你就一目了然了,将电容换成可变电容,在输出端连接频率计,调整可变电容,直到输出频率为你所需要的频率时,这时的可变电容值就是你所需要的负载电容值。电容不能太小,晶体不起振,当电容太大,会失去振荡平衡,造成电路工作不稳定。

有源晶振参数示例:

频率范围:1~150MHz

频差:±25PPM

老化:±3PPM/年

温度范围:-40~+85℃

电压:1.8V~5.0V

输出方式:CMOS

体积:5032,7050

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