通用二极管 整流二极管
单向导电性 可用于整流 可用于反接保护 判断极性： 可以降压 一般的零点几伏，LED有1伏多 可以做指示灯 LED不绝对是短头是正极 稳压二极管的解法和一般的相反 它的正极接低 比如接地 变容二极管红体蓝头很漂亮，变容二极管是FM解调的关键器件 很多时候，使用二极管做保护电路，接反了不导通 IN4007 插件和贴片 IN4148 插件和贴片
稳压二极管 zener diode
稳压二极管，英文名称Zener diode，又叫齐纳二极管，是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件 
稳压二极管的特点就是击穿后，其两端的电压基本 保持不变。这样，当把稳压管接入电路以后，若由于电源电压发生波动， 或其它原因造成电路中各点电压变动时，负载两端的电压将基本保持不变 型 号电子系统的应用当中，电压及电流的瞬态干扰会经常造成电子设备的损坏，瞬态干扰的显著特点是作用时间极短，但电压幅度高、瞬态能量大，所以破坏性很大。 为了防止这种破坏,TVS管得到了广泛的应用，TVS（Transient Voltage Supprseeor）是一种在稳压管工艺基础上发展起来的一高效能的电路保护器件，其电路符号和普通稳压二极管相同,外形也与普通二极管无异,当TVS 管两端经受瞬间的高能量冲击时，它能以极高的速度（最高达1*１0-12秒）使其阻抗骤然降低，同时吸收一个大电流，将其两端间的电压箝位在一个预定的数 值上，从而确保后面的电路元件免受瞬态高能量的冲击而损坏。我们在一些精密电子设备中经常可以看到TVS二极管作为ESD防护的主要手段之一。 作为二者的共同点，它们都可以用来稳压，并且都工作在反向截止状态下，TVS管的电压-电流特性曲线如下图所示： 从上面的图可以看到，其正向特性与普通二极管相同，反向特性为典型的PN结雪崩器件。但是TVS管齐纳击穿电流更小，大于10V的稳压只有1mA， 相对来说齐纳二极管击穿电流要大不少，但是齐纳二极管稳压精度可以做的比较高。而且TVS管强调的是瞬态响应，所以其时间参数就很重要了，也就是说稳压二 极管的响应时间通常要比TVS管的慢。同时TVS管的功率较大，而稳压管的功率较小。 其次，从概念上理解，TVS管主要是防止瞬间大电压的影响，最终可以达到稳压的目的，这与稳压管的作用是有区别的。 以上只是一个简单的介绍和比较，实际使用中可以查阅相关的资料做出正确的选择。下面是一个TVS二极管应用指南的资料，可供使用TVS二极管的参 考。1N4728 1N4729 1N4730 1N4732 1N4733 1N4734 1N4735 1N4744 1N4750 1N4751 稳压值 3.3V 3.6V 3.9V 4.7V 5.1V 5.6V 6.2V 15V 27V 30V 一种用于稳定电压的单PN结二极管。它的伏安特性、电路符号如图所示。结构同整流二极管。加在稳压二极管的反向电压增加到一定数值时，将可能有大量 载流子隧穿PN结的位垒，形成大的反向电流，此时电压基本不变，称为隧道击穿。当反向电压比较高时，在位垒区内将可能产生大量载流子，受强电场作用形成大 的反向电流，而电压亦基本不变，为雪崩击穿。因此，反向电压临近击穿电压时，反向电流迅速增加，而反向电压几乎不变。这个近似不变的电压称为齐纳电压（隧 道击穿）或雪崩电压（雪崩击穿）。 稳压二极管工作于反向击穿状态(图a)。反向电流在-IZK和-IZM之间时，二极管两端的电压基本不变，等于UZ，即为稳定电压。对硅稳压二极管而言， 稳定电压在5V以下的器件靠齐纳电压工作，稳定电压在7V以上的器件靠雪崩电压工作，两者之间的器件两种形式的击穿都可能起作用 李工，如果我 1N4727 3V0 1N4728 3V3 1N4729 3V6 1N4730 3V9 1N4731 4V3 1N4732 4V7 1N4733 5V1 1N4734 5V6 1N4735 6V2 1N4736 6V8 1N4737 7V5 1N4738 8V2 1N4739 9V1 1N4740 10V 1N4741 11V 1N4742 12V 1N4743 13V 1N4744 15V 1N4745 16V 1N4746 18V 1N4747 20V 1N4748 22V 1N4749 24V 1N4750 27V 1N4751 30V 1N4752 33V 1N4753 36V 1N4754 39V 1N4755 43V 1N4756 47V 1N4757 51V 正确设计稳压二极管电路也有不少参数要考虑的，比如有一次考虑接在强电上，行不行呢，这涉及到最大电流、发热和功耗的问题了 Understand that if the current that flows through a Zener diode is too high, the Zener diode will be damaged. This maximum rated current is often called the maximum Zener current, often abbreviated Izm. Also, if the power dissipation of a Zener diode exceeds the maximum power dissipation rating, Pd, the Zener diode will be damaged. Remember that the power dissipation of the Zener is equal to the current flowing through the Zener multiplied by the Zener voltage produced. The minimum Zener knee current, Izk, is used to guarantee a minimum voltage that is less than the Zener voltage. Instead, the current flowing through the Zener must be greater than the maximum reverse current, abbreviated Izr, to absolutely guarantee that the Zener diode will produce the Zener voltage, Vz. However, a Zener may produce a voltage very close to the Zener voltage at current levels much lower than the reverse current and as low as the minimum Zener knee current, Izk. Because of this, it is often common to assume that for applications that don’t require precision voltage regulation, the minimum current required to produce the Zener voltage, Vz, is 10 percent of the maximum Zener current, Izm. 一般加上一个限流电阻，限流电阻的计算方法是： 
举例：A 5.0V stabilised power supply is required to be produced from a 12V DC power supply input source. The maximum power rating PZ of the zener diode is 2W. Using the zener regulator circuit above calculate
a) The maximum current flowing through the zener diode. Max current=2w/5v=400mA
b) The minimum value of the series resistor, RS Rs=(Vs-Vz)/Iz=(12-5)/400mA=17.5
c) The load current IL if a load resistor of 1kΩ is connected across the Zener diode. I load=Vz/R load=5V/1000=5mA
d) The total supply current IS at full load. Is=Iz+I load=400mA+5mA=405mA
稳压二极管的主要参数 1.Vz— 稳定电压。 指稳压管通过额定电流时两端产生的稳定电压值。该值随工作电流和温度的不同而略有 改变。由于制造工艺的差别，同一型号稳压管的稳压值也不完全一致。例如，2CW51型稳压 管的Vzmin为3.0V, Vzmax则为3.6V。 2.Iz— 稳定电流。 指稳压管产生稳定电压时通过该管的电流值。低于此值时，稳压管虽并非不能稳压，但 稳压效果会变差;高于此值时，只要不超过额定功率损耗，也是允许的，而且稳压性能会好 一些，但要多消耗电能。 3.Rz— 动态电阻。 指稳压管两端电压变化与电流变化的比值。该比值随工作电流的不同而改变，一般是工 作电流愈大，动态电阻则愈小。例如，2CW7C稳压管的工作电流为5mA时，Rz为18Ω;工作 电流为1OmA时，Rz为8Ω;为20mA时，Rz为2Ω ; > 20mA则基本维持此数值。 4.Pz— 额定功耗。 由芯片允许温升决定，其数值为稳定电压Vz和允许最大电流Izm的乘积。例如2CW51 稳压管的Vz为3V，Izm为20mA，则该管的Pz为60mWo 5.Ctv— 电压温度系数。 是说明稳定电压值受温度影响的参数。例如2CW58稳压管的Ctv是+0.07%/°C，即温度 每升高1°C，其稳压值将升高0.07%。 6.IR— 反向漏电流。 指稳压二极管在规定的反向电压下产生的漏电流。例如2CW58稳压管的VR=1V时， IR=O.1uA;在VR=6V时，IR=10uA。 指稳压管产生稳定电压时通过该管的电流值。低于此值时，稳压管虽并非不能稳压，但稳压效果会变差;高于此值时，只要不超过额定功率损耗，也是允许的，而且稳压性能会好一些，但要多消耗电能。 R太大，则Ir很小，当Il增大时，稳压管的电流可能减小到临界值以下，失去稳压作用； R太小，则Ir很大，当Rl很大或开路时，Ir都流向稳压管，可能超过其允许定额而造成损坏。 公式： (Uimin-Uz)/(Izmin+Ilmax) > R > (Uimax-Uz)/(Izmax+Ilmin) 当两者不能同时满足时，说明在给定条件下已超出稳压管的工作范围，需限制输入电压Ui或负载电流Il的变化范围，或选用更大容量的稳压管。 Izmax****：稳压管允许的最大工作电流 Uzmax****：电网电压最高时的整流输出电压 Ilmax****：负载电流的最大值 简化计算[5] 限流电阻主要考虑负载电流要多大，而不是是稳压管最小工作电流， （输入电压—稳压电压）/电路最大工作电流=限流电阻 （稳压管最小工作电流一般可以忽略不计）。 还有一个参数要复核，就是稳压管的功率，在电路最小工作电流时， 稳压管上分流的电流×稳压值=稳压管的功率，是否大于稳压管极限功率 当然考虑这些时要考虑负载的大小，通常负载都很大，而稳压二极管的动态电阻都很小，这时候流过限流电阻的电流基本都流到稳压二极管那里了，这时可以估算所选取的限流电阻的大小。 使用稳压二级时必颁注意．它们可以串联使用．串联后的稳压值为各个管稳压值之和 但不能并联使用，以免稳定电压的差异造成各管电流分配不均匀而引起管子过载损
肖特基二极管
肖特基二极管是反向恢复时间短，一般用于开关电源；而普通整流管的开关转换速度慢，所以电路高速切换时管子内部的电流就会比较大，容易烧毁管子。 肖特基二极管: 典型应用用于电池等防反向又不想降低太多电压 属整流二极管 但是特点是 VF 较低 0.35-0.56V，具有开关频率高和正向压降低等优点 但其反向击穿电压比较低，大多不高于60V，最高仅约100V，以致于限制了其应用范围 最显著的特点为反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右。 其多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管，也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。
TVS瞬态抑制二极管
TVS 瞬态保护二极管 TVS(Transient Voltage Suppressor)二极管，又称为瞬态抑制二极管，是普遍使用的一种新型高效电路保护器件，它具有极快的响应时间（亚纳秒级）和相当高的浪涌吸收能力。当它的两端经受瞬间的高能量冲击时，TVS能以极高的速度把两端间的阻抗值由高阻抗变为低阻抗，以吸收一个瞬间大电流，把它的两端电压箝制在一个预定的数值上，从而保护后面的电路元件不受瞬态高压尖峰脉冲的冲击。 电子系统的应用当中，电压及电流的瞬态干扰会经常造成电子设备的损坏，瞬态干扰的显著特点是作用时间极短，但电 压幅度高、瞬态能量大，所以破坏性很 大。为了防止这种破坏,TVS管得到了广泛的应用，TVS（Transient Voltage Supprseeor）是一种在稳压管工艺基础上发展起来的一高效能的电路保护器件，其电路符号和普通稳压二极管相同,外形也与普通二极管无异,当TVS 管两端经受瞬间的高能量冲击时，它能以极高的速度（最高达1*１0-12秒）使其阻抗骤然降低，同时吸收一个大电流，将其两端间的电压箝位在一个预定的数 值上，从而确保后面的电路元件免受瞬态高能量的冲击而损坏。我们在一些精密电子设备中经常可以看到TVS二极管作为ESD防护的主要手段之一。 作为二者的共同点，它们都可以用来稳压，并且都工作在反向截止状态下，TVS管的电压-电流特性曲线如下图所示： 从 上面的图可以看到，其正向特性与普通二极管相同，反向特性为典型的PN结雪崩器件。但是TVS管齐纳击穿电流更小，大于10V的稳压只有1mA， 相对来说齐纳二极管击穿电流要大不少，但是齐纳二极管稳压精度可以做的比较高。而且TVS管强调的是瞬态响应，所以其时间参数就很重要了，也就是说稳压二 极管的响应时间通常要比TVS管的慢。同时TVS管的功率较大，而稳压管的功率较小。 其次，从概念上理解，TVS管主要是防止瞬间大电压的影响，最终可以达到稳压的目的，这与稳压管的作用是有区别的。 以上只是一个简单的介绍和比较，实际使用中可以查阅相关的资料做出正确的选择。下面是一个TVS二极管应用指南的资料，可供使用TVS二极管的参考。
发光二极管 LED
Φ3 绿色 Φ3 红色 Φ5 白色 Φ3-红绿双色 0805封装 红 绿 蓝 红外LED Φ5 λ=850nm 多色： 是里面封装了多个？ 比如一个公共地，加一个高电平对应一个颜色，多个同时高电平是多个同时亮 二极管根据用途分类 1、检波用二极管 就原理而言，从输入信号中取出调制信号是检波，以整流电流的大小（100mA）作为界线通常把输出电流小于100mA的叫检波。锗材料点接触型、工作频率可达400MHz，正向压降小，结电容小，检波效率高，频率特性好，为2AP型。类似点触型那样检波用的二极管，除用于检波外，还能够用于限幅、削波、调制、混频、开关等电路。也有为调频检波专用的特性一致性好的两只二极管组合件。 检波二极管的选用 检波二极管一般可选用点接触型锗二极管，例如2AP系列等。选用时，应根据电路的具体要求来选择工作频率高、反向电流小、正向电流足够大的检波二极管。 2、整流用二极管 就原理而言，从输入交流中得到输出的直流是整流。以整流电流的大小（100mA）作为界线通常把输出电流大于100mA的叫整流。面结型，工作频率小于KHz，最高反向电压从25伏至3000伏分A～X共22档。分类如下： ① 硅半导体整流二极管2CZ型 ② 硅桥式整流器QL型、 ③ 用于电视机高压硅堆工作频率近100KHz的2CLG型。 整流二极管的选用 整流二极管一般为平面型硅二极管，用于各种电源整流电路中。 选用整流二极管时，主要应考虑其最大整流电流、最大反向工作电流、截止频率及反向恢复时间等参数。 普通串联稳压电源电路中使用的整流二极管，对截止频率的反向恢复时间要求不高，只要根据电路的要求选择最大整流电流和最大反向工作电流符合要求的整流二极管即可。例如，1N系列、2CZ系列、RLR系列等。 开关稳压电源的整流电路及脉冲整流电路中使用的整流二极管，应选用工作频率较高、反向恢复时间较短的整流二极管（例如RU系列、EU系列、V系列、1SR系列等）或选择快恢复二极管。 3、限幅用二极管 大多数二极管能作为限幅使用。也有象保护仪表用和高频齐纳管那样的专用限幅二极管。为了使这些二极管具有特别强的限制尖锐振幅的作用，通常使用硅材料制造的二极管。也有这样的组件出售：依据限制电压需要，把若干个必要的整流 4、调制用二极管 通常指的是环形调制专用的二极管。就是正向特性一致性好的四个二极管的组合件。即使其它变容二极管也有调制用途，但它们通常是直接作为调频用。 5、混频用二极管 使用二极管混频方式时，在500～10,000Hz的频率范围内，多采用肖特基型和点接触型二极管。 6、放大用二极管 用二极管放大，大致有依靠隧道二极管和体效应二极管那样的负阻性器件的放大，以及用变容二极管的参量放大。因此，放大用二极管通常是指隧道二极管、体效应二极管和变容二极管。 7、开关用二极管 有在小电流下（10mA程度）使用的逻辑运算和在数百毫安下使用的磁芯激励用开关二极管。小电流的开关二极管通常有点接触型和键型等二极管，也有在高温下还可能工作的硅扩散型、台面型和平面型二极管。开关二极管的特长是开关速度快。而肖特基型二极管的开关时间特短，因而是理想的开关二极管。2AK型点接触为中速开关电路用；2CK型平面接触为高速开关电路用；用于开关、限幅、钳位或检波等电路；肖特基（SBD）硅大电流开关，正向压降小，速度快、效率高。 开关二极管的选用 开关二极管主要应用于收录机、电视机、影碟机等家用电器及电子设备有开关电路、检波电路、高频脉冲整流电路等。 中速开关电路和检波电路，可以选用2AK系列普通开关二极管。高速开关电路可以选用RLS系列、1SS系列、1N系列、2CK系列的高速开关二极管。要根据应用电路的主要参数（例如正向电流、最高反向电压、反向恢复时间等）来选择开关二极管的具体型号。 8、变容二极管 用于自动频率控制（AFC）和调谐用的小功率二极管称变容二极管。日本厂商方面也有其它许多叫法。通过施加反向电压， 使其PN结的静电容量发生变化。因此，被使用于自动频率控制、扫描振荡、调频和调谐等用途。通常，虽然是采用硅的扩散型二极管，但是也可采用合金扩散型、外延结合型、双重扩散型等特殊制作的二极管，因为这些二极管对于电压而言，其静电容量的变化率特别大。结电容随反向电压VR变化，取代可变电容，用作调谐回路、振荡电路、锁相环路，常用于电视机高频头的频道转换和调谐电路，多以硅材料制作。 9、频率倍增用二极管 对二极管的频率倍增作用而言，有依靠变容二极管的频率倍增和依靠阶跃（即急变）二极管的频率倍增。频率倍增用的变容二极管称为可变电抗器，可变电抗器虽然和自动频率控制用的变容二极管的工作原理相同，但电抗器的构造却能承受大功率。阶跃二极管又被称为阶跃恢复二极管，从导通切换到关闭时的反向恢复时间trr短，因此，其特长是急速地变成关闭的转移时间显著地短。如果对阶跃二极管施加正弦波，那么，因tt（转移时间）短，所以输出波形急骤地被夹断，故能产生很多高频谐波。 10、稳压二极管 是代替稳压电子二极管的产品。被制作成为硅的扩散型或合金型。是反向击穿特性曲线急骤变化的二极管。作为控制电压和标准电压使用而制作的。二极管工作时的端电压（又称齐纳电压）从3V左右到150V，按每隔10%，能划分成许多等级。在功率方面，也有从200mW至100W以上的产品。工作在反向击穿状态，硅材料制作，动态电阻RZ很小，一般为2CW型；将两个互补二极管反向串接以减少温度系数则为2DW型。 稳压二极管的选用 稳压二极管一般用在稳压电源中作为基准电压源或用在过电压保护电路中作为保护二极管。 选用的稳压二极管，应满足应用电路中主要参数的要求。稳压二极管的稳定电压值应与应用电路的基准电压值相同，稳压二极管的最大稳定电流应高于应用电路的最大负载电流50%左右。 11、PIN型二极管（PIN Diode） 这是在P区和N区之间夹一层本征半导体（或低浓度杂质的半导体）构造的晶体二极管。PIN中的I是“本征”意义的英文略语。当其工作频率超过100MHz时，由于少数载流子的存贮效应和“本征”层中的渡越时间效应，其二极管失去整流作用而变成阻抗元件，并且，其阻抗值随偏置电压而改变。在零偏置或直流反向偏置时，“本征”区的阻抗很高；在直流正向偏置时，由于载流子注入“本征”区，而使“本征”区呈现出低阻抗状态。因此，可以把PIN二极管作为可变阻抗元件使用。它常被应用于高频开关（即微波开关）、移相、调制、限幅等电路中。 12、 雪崩二极管 (Avalanche Diode) 它是在外加电压作用下可以产生高频振荡的晶体管。产生高频振荡的工作原理是栾的：利用雪崩击穿对晶体注入载流子，因载流子渡越晶片需要一定的时间，所以其电流滞后于电压，出现延迟时间，若适当地控制渡越时间，那么，在电流和电压关系上就会出现负阻效应，从而产生高频振荡。它常被应用于微波领域的振荡电路中。 13、江崎二极管 （Tunnel Diode） 它是以隧道效应电流为主要电流分量的晶体二极管。其基底材料是砷化镓和锗。其P型区的N型区是高掺杂的（即高浓度杂质的）。隧道电流由这些简并态半导体的量子力学效应所产生。发生隧道效应具备如下三个条件：①费米能级位于导带和满带内；②空间电荷层宽度必须很窄（0.01微米以下）；简并半导体P型区和N型区中的空穴和电子在同一能级上有交叠的可能性。江崎二极管为双端子有源器件。其主要参数有峰谷电流比（IP／PV），其中，下标“P”代表“峰”；而下标“V”代表“谷”。江崎二极管可以被应用于低噪声高频放大器及高频振荡器中（其工作频率可达毫米波段），也可以被应用于高速开关电路中。 14、快速关断（阶跃恢复）二极管 (Step Recovary Diode) 它也是一种具有PN结的二极管。其结构上的特点是：在PN结边界处具有陡峭的杂质分布区，从而形成“自助电场”。由于PN结在正向偏压下，以少数载流子导电，并在PN结附近具有电荷存贮效应，使其反向电流需要经历一个“存贮时间”后才能降至最小值（反向饱和电流值） 阶跃恢复二极管的“自助电场”缩短了存贮时间，使反向电流快速截止，并产生丰富的谐波分量。利用这些谐波分量可设计出梳状频谱发生电路。快速关断（阶跃恢复）二极管用于脉冲和高次谐波电路中。 15、肖特基二极管 （Schottky Barrier Diode） 它是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓，多为N型半导体。这种器件是由多数载流子导电的，所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响仅为RC时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。并且，MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。 16、阻尼二极管 具有较高的反向工作电压和峰值电流，正向压降小，高频高压整流二极管，用在电视机行扫描电路作阻尼和升压整流用。 17、瞬变电压抑制二极管 TVP管，对电路进行快速过压保护，分双极型和单极型两种，按峰值功率（500W－5000W）和电压（8.2V～200V）分类。 18、双基极二极管（单结晶体管） 两个基极，一个发射极的三端负阻器件，用于张驰振荡电路，定时电压读出电路中，它具有频率易调、温度稳定性好等优点。 19、发光二极管 用磷化镓、磷砷化镓材料制成，体积小，正向驱动发光。工作电压低，工作电流小，发光均匀、寿命长、可发红、黄、绿单色光。 半导体二极管 整流管：整流管因为其正向工作电流较大，工艺上多采用面结型结构，结电容大， 因此整流二极管工作频率一般小于3KHZ . 例：2CZ31 反向工作电压： 50-800V 正向电流：>1A 正向压降：<0.8V 反向电流：<5 UA 瞬时电流：>20A 最高温度：>150C 例：2CZ56 反向工作电压： 100-2000V 正向电流：3A 正向压降：<0.8V 反向电流：<20 UA 瞬时电流：>65A 最高温度：>140C 注：桥式整流器以此此类推。 彩电用高频高压硅整流堆： 例：2DGL20 反向工作电压：>20KV正向电流：>5MA 正向压降：<40V 反向电流：<2 UA 反向恢复时间：<1.2us 检波二极管： 一般检波二极管采用锗材料点接触型结构，要求正向压降小，检波效率高，结电容小，频率特性好，其外形一般采用玻璃封装EA结构。 例：2AP9 反向工作电压：> 10V 正向电流：>8MA 反向峰值击穿电压：>20V 最大整流电流：>5MA 截止频率：〉100MHZ 零偏压电容：《1PF 检波效率：》65% 反向电流：《200 UA 例：2AP30C 反向工作电压： 〉10V 正向电流：〉2MA 反向峰值击穿电压：〉20V 最大整流电流：〉5MA 截止频率：〉400MHZ 零偏压电容：《0.6PF 反向电流：》50 UA 开关二极管： 二极管从截止到导通称为开通时间，从开通到截止称为反向恢复时间，两者之和称为开关时间。开通时间较短，一般可以忽略，反向恢复时间较长，他反应了二极管的特性好坏，trr定义为从加反向偏压开始到反向电流下降到初始值的1/10所用的时间。 2AK系列为点接触锗金键开关二极管，适于中速开关电路，2CK系列为平面硅二极管，适于高速开关电路。 例：2CK70E(IN4148) 反向工作电压：> 60V 反向击穿电压：>90V正向电流：>10MA 正向压降：<0.8V 零偏压电容：《4PF 反向恢复时间：〈3ns 额定功率：30mw FR151-158常用于高频整流，升压，有些厂家叫做快速恢复二极管。 反向工作电压：100-1000V正向电流：>1.5A 正向压降：<0.65V反向恢复时间：〈0.7ns 反向电流：5ua 阻尼二极管： 主要应用于电视机行扫描中做阻尼和升压整流用，要求其承受较高的反向工作电压和峰值电流，且要求正向压降越小越好，因此他是一种特殊的高频高压整流二极管，也可看作是高反压开关二极管的一种。 2CN2最高反向工作电压：400-800V正向电流：>2A 正向压降：<1V反向恢复时间：〈2ns 浪涌电流：50A 最高结温：175C 反向电流：5 ua FR100-107最高反向工作电压：25-1000V正向电流：>1A 正向压降：<1.3V反向恢复时间：〈0.85ns 浪涌电流：50A 最高结温：175C反向电流：5ua 稳压二极管： 稳压二极管的正向曲线与普通二极管相仿，但反向曲线比普通二极管低的多。其击穿点处，曲线弯折特别尖锐，反向电流剧增， 但电压几乎保持不便，只要在外电路中设置限流措施，使稳压管始终保持在允许功耗内，就不会损坏管子，稳压管的反向击穿是可逆的，而普通二极管的击穿是不可逆的。稳压二极管多采用硅材料制成。 由于稳压二极管的击穿机理上的区别，一般认为稳压管在5V以下属于齐纳击穿，7V以上属于雪崩击穿，5-6V两者兼而有之。小于5伏时，具有负温度系数，大于7伏时，具有正温度系数，在5-6伏时，温度系数则接近0。 2CW76功率：<0.25W工作电流：<20ma 结温：<150C 漏电流：0.1u电压：11.5-12.5V 动态电阻18ohm(5ma) 压降：<1V温度系数：9*10（-4/C 2DW60功率：<1W工作电流：<6ma 结温：<150C 漏电流：0.5u电压135-155V 动态电阻700ohm(3ma) 压降<1V温度系数：12*10（-4/C 瞬变电压抑制二极管： 瞬变电压抑制二极管简称为TVP管（transient-voltage-suppressor）他是在稳压管的工艺基础上发展起来的，主要应用于对电压的快速过压保护，TVP管按照其峰值脉冲功率可以分为四类：500W，1000W,1500W,5000W。每类按照其标称电压分为35种，最小击穿电压为8.2V，最大为200V. TVP管在瞬间高能量冲击时，能以极高的速度从高阻改变为低阻，从而吸收一个极大的电流，将管子的电压钳位在一个预定的数值上，钳位时间仅仅10（-12）秒。 例：TVP500-534,峰值功率：500W 击穿电压：8.2-200V 测试电流：1ma 最大钳位电压：12.5-287V最大峰值脉冲电流：40A 反向变位电压：6.63-162.0V 反向电流：200-5ua 温度系数： 0.065-0.108%/C 注：反向变位电压的含义为：TVP管在不击穿的条件下所能承受的最大反向电压，即当TVP管加上该电压后，反向漏电流不大于其允许值。 变容二极管： 变容二极管是利用PN结电容随外加反向偏压变化的特性制成。 在零偏压时，结电容最大， 临近击穿时，结电容最小。 两者之比则为其结电容变化比。从导通曲线可以看出，结电容变化呈现非线性。 变容二极管一般总是接在谐振回路使用，以取代传统的可变电容，因此必须要有足够的Q值，显然，随着频率的升高，Q降低，因此定义为Q=1时为截止频率。使用时必须低于截止频率。 常用变容二极管因其结构的独特性，参数离散性较大， 使用应逐个挑选。 例：2CC120 最高反向工作电压：30V反向电流：0.1ua 给定偏压下的结电容3v,18-20pf 10v,7-8.5pf 电容比>6 击穿电压35v 优值Q>120 串联电阻1.5ohm 电容温度系数<5*10(-4) 最高结温：125C 双基极二极管： 双基极二极管是具有两个基极和一个发射极的三端负阻半导体器件。他只有一个PN结， 所以又称为单结晶体管。双基极二极管主要应用于各种张驰震荡器， 定时电压读出电路，具有频率易调，温度特性好的优点。 分压比：当发射极开路时，基极B1,B2之间相当于一个电阻,其值为RB1,RB2之和，若加一个电压，则俩电阻间相当于一个分压器。 例：BT33A 分压比：0.3-0.55 基极间电阻：3-6kohm E-B间反向电流：<1ua饱和压降：<5v 峰点电流：<2UA 谷点电流：<1.5UA 谷点电压： <3.5V调制电流：8-40ma 耗屏功率： 400mw 最高结温：150C
